从国际半导体产业发展趋势来看，随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起，未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。第三代半导体兴起于上世纪90年代初，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料为代表，具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防安全等重点领域的关键材料，其发展水平是反映一个国家高技术实力、国防能力和国际竞争力的主要标志之一。

碳化硅是新型电力系统——特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料，同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”，可使高铁动力系统体积、重量减小20％，损耗降低20％；新能源汽车电控系统体积重量减少80%，电能转换效率提升20%。氮化镓则是目前能同时实现高频、高效、大功率的唯一材料，是支撑5G通信基站升级换代、6G通信基站优先布局、军用雷达性能得以提高的关键材料。

据不完全统计，2022年美国、英国、意大利、新加坡、日本、法国等国家新布局21个第三代半导体公共研发项目，金额超12.6亿美元。涉及材料、外延、器件、系统等各环节，突出8英寸碳化硅衬底和晶圆制造、车用800V电压平台的碳化硅功率器件及电控系统等。

在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，第三代半导体产业高速发展，2022年全球碳化硅、氮化镓功率半导体市场规模约23.7亿美元。