全国热线:

17316458058

中文
关注半导体材料发展国际趋势
发表时间:2023-10-26
访问量:186
来源:

从国际半导体产业发展趋势来看,随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限,同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要,以化合物半导体材料,特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。第三代半导体兴起于上世纪90年代初,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料为代表,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防安全等重点领域的关键材料,其发展水平是反映一个国家高技术实力、国防能力和国际竞争力的主要标志之一。


碳化硅是新型电力系统——特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料,同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”,可使高铁动力系统体积、重量减小20%,损耗降低20%;新能源汽车电控系统体积重量减少80%,电能转换效率提升20%。氮化镓则是目前能同时实现高频、高效、大功率的唯一材料,是支撑5G通信基站升级换代、6G通信基站优先布局、军用雷达性能得以提高的关键材料。


据不完全统计,2022年美国、英国、意大利、新加坡、日本、法国等国家新布局21个第三代半导体公共研发项目,金额超12.6亿美元。涉及材料、外延、器件、系统等各环节,突出8英寸碳化硅衬底和晶圆制造、车用800V电压平台的碳化硅功率器件及电控系统等。


在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下,第三代半导体产业高速发展,2022年全球碳化硅、氮化镓功率半导体市场规模约23.7亿美元。

weixin
17316458058